投资摘要：

　　每周一谈：美光业绩指引超预期存储涨价或影响下游出货

　　美光业绩指引超预期，公司预计2026年DRAM与NAND行业bit出货增长约20%。根据闪存市场和华尔街见闻，美光发布其第一财季业绩，该季度调整后营收136.4亿美元，同比增长57%，高于市场预期的129.5亿美元。非GAAP下摊薄后每股收益为4.78美元，高于市场预期的3.95美元。业绩超预期主要受益于存储芯片供应趋紧、价格大幅上涨，以及人工智能数据中心需求迅猛增长。分产品类型看，DRAM营收占比79%，Bit出货量环比小幅增长、ASP环比增长约20%，NAND营收占比20%，Bit出货量环比增长中高个位数百分比（5%-9%）、ASP环比增长约15%。截至该财季末库存为82亿美元，环比下降1.5亿美元，库存天数为126天，DRAM库存天数低于120天仍较为紧张。

　　公司表示，2026全年包括HBM4在内的HBM供应价格和数量已达成协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，这一市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。公司对下一季度非GAAP下EPS指引中值达8.42美元，比市场预期4.78美元高出约75%。

　　美光2026财年资本支出指引由此前的180亿美元上调至约200亿美元，同比增长约48%。此项增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。美光正加紧下单采购设备并加速安装，以最大化产出能力。公司预计2026日历年DRAM与NAND行业bit出货增长将受到行业整体供应能力的制约，预计均将较2025年实现约20%的增长

　　预计2026Q1存储价格环比上涨，2026年全球智能手机及笔电出货预测或调降。闪存市场2026年存储市场展望报告指出，预计2026Q1Server、Mobile、PC相关存储产品市场价格季度环比将上涨20%以上，且全年各季度均有望保持环比上涨。根据TrendForce集邦，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。其下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%，且存在进一步下修风险。

　　建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

　　投资策略：建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

　　风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧